真空室結構:1個中央傳輸室：蝶形結構；3個沉積室：方形結構；1個進樣室：方形結構。

　　真空室尺寸:中央傳輸室：Φ1000×280mm；沉積室：260×260×280mm。

　　進樣室：300×300×300mm。

　　極限真空度:中央傳輸室：6.67E-4Pa；沉積室：6.67E-6Pa；進樣室：6.67Pa。

　　沉積源:樣品尺寸。

　　氣相薄膜沉積系統PECVD的溫度:114X114X3mm，加熱溫度350度，機械手傳遞樣品。

　　占地面積（長x寬x高）:約13米x9米x2.3米（設計待定）。

　　電控描述:全自動。

　　工藝:在80X80mm范圍內硅膜的厚度均勻性優于±5%。

　　特色參數:共有8路工作氣體。

　　氣相薄膜沉積系統PECVD產品概述：系統主要由3個真空沉積室（分別沉積P、I、N結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統等部分組成。

　　設備用途：團簇型等離子體化學氣相沉積設備（PECVD），采用等離子體增強化學氣相沉積技術，在光學玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制備非晶硅、微晶硅薄膜太陽能電池器件。

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